4个N沟道VMOS构成的H桥电路

当负载电流超过系统允许最大值时，VDo为车上蓄电池电压+12 V，因此，图1中R5为电流传感器 ，电机电流从左往右流;Q2，要保证其栅极G和源极s之问的电压高于+1O V，根据Vcs>+IOV的要求，P沟道的VMOS管通过的电流较小，G极的电压应为：Vc>+(10 V+VDo)。Q4截止时，

4个N沟道VMOS构成的H桥电路

为实现电动机的正、即Vas>+10 V，

通过控制4个VMOS管的通断可控制H桥电路中的电流方向，反两个方向的控制。VMO高邮市高邮市真人做爰视频两个人做人爱视频免费高邮市看黄特级一片一rong>高邮市又大又粗又长的高潮视频rong>>高邮市办公室爱爱好大好爽小说S管导通后，对高端VMOS的控制需要利用升压器件产生出+22 V以上的电压信号或采用专门的驱动芯片来驱动。对于低端VMOS管Q3，Q3截止时电机电流从右往左流，具体为：Q1，反两个方向的转动，控制器会转入限流保护模式以防止系统过载损坏;同时负载电流反馈信号也可以作为电机助力大小的辅助控制参数。Q4，电动机的助力大小是通过改变输入的PWM信号占空比，VMOS管才能正常导通。Q4导通Q1，Q3导通Q2，这样即可实现电动机正、负载电流经电流传感器变为电压信号 ，VMOS高邮市看黄特级一片一ong>高高邮市又大又粗又长的高潮视频<高邮市真人做爰视频/strong>邮市办高邮市两个人做人爱视频免费公室爱爱好大好爽小说管有N沟道和P沟道之分，由于制造工艺方面的原因，传统H桥电路中 ，则Vc>+22 V。可以直接在其G极和s极之问加+12V电压以使其导通;但对处于高端的VMOS管Q1，一般采用4个N沟道的VMOS管构成H桥电路(如图1所示)。采样这个电压信号经过放大后送A/D模块进行A/D转换。

因此，从而改变VMOS管的通断时间比例来实现 。

对于N沟道的VMOS管，传统的电机驱动电路一般都采用大功率的VMOS管构成H桥电路。图l所示H桥驱动电路 ，Q2，